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Toshiba Memory und Western Digital feiern die Eröffnung der Fab 6 und eines Forschungs- und Entwicklungszentrums für Flash-Speicher in Yokkaichi, Japa

Yokkaichi, Japan und San Jose, Kalifornien, 20. September 2018 – Die Toshiba Memory Corporation und die Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC) feiern die Eröffnung einer neuen hochmodernen Halbleiterfertigungsanlage, der Fab 6, und eines Forschungs- und Entwicklungszentrums für Flash-Speicher in Yokkaichi in der japanischen Präfektur Mie.

Toshiba Memory hatte im Februar 2017 mit dem Bau der Fab-6-Fabrik begonnen, in der ausschließlich 3D-Flash-Speicher angefertigt werden sollen. Für zentrale Produktionsprozesse wie das Abscheiden und Ätzen haben Toshiba Memory und Western Digital in Yokkaichi in Produktionsanlagen auf dem neuesten Stand der Technik investiert. Die Massenproduktion von 96-Layer-3D-Flash-Speicher wurde Anfang dieses Monats in Gang gesetzt.

Die Nachfrage nach 3D-Flash-Speicher für Server und Rechenzentren in Unternehmen, aber auch für Smartphones steigt stetig und wird in den kommenden Jahren weiter zunehmen. Weitere Investitionen in den Ausbau der Produktion werden entsprechend der Marktentwicklung getätigt.

Das angrenzende Forschungs- und Entwicklungszentrum für Flash-Speicher wurde im März dieses Jahres in Betrieb genommen; hier wird die Entwicklung von 3D-Flash erforscht und vorangetrieben.

Toshiba Memory und Western Digital wollen ihre Führungsposition im Speichersegment weiter ausbauen, indem sie aktiv ihre Wettbewerbsfähigkeit stärken und gemeinsam die 3D-Flash-Technologie weiterentwickeln und entsprechend den Marktgegebenheiten Investitionen tätigen.

Dr. Yasuo Naruke, President und CEO von Toshiba Memory, sagt: „Wir freuen uns über die Möglichkeit, im Markt für 3D-Flash-Speicher mit Produkten der neuesten Generation unsere Position als führender Anbieter zu festigen. Fab 6 und das Forschungs- und Entwicklungszentrum leisten hierzu einen wesentlichen Beitrag. Wir sind zuversichtlich, dass unser Joint Venture mit Western Digital auch künftig überragende Speicherlösungen in Yokkaichi herstellen wird.“

„Wir freuen uns darüber, Fab 6 und das Forschungs- und Entwicklungszentrum für Flash-Speicher zusammen mit unserem geschätzten Partner Toshiba Memory in Betrieb nehmen zu können. Seit fast zwei Jahrzehnten fördert die erfolgreiche Zusammenarbeit zwischen unseren Unternehmen Wachstum und Innovationen im Bereich der NAND-Flash-Technologie“, sagt Steve Milligan, Chief Executive Officer, Western Digital. „Wir bauen die Produktion von 96-Layer-3D-NAND aus, um der Nachfrage des Markts in allen Segmenten nachzukommen – seien dies Verbraucher- oder mobile Anwendungen oder Cloud-Rechenzentren. Fab 6 ist eine Anlage auf dem neuesten Stand der Technik, mit der wir unsere Marktführerschaft den Bereichen Technologie und Kostenführerschaft weiter festigen können.“

Posted by on 21. September 2018. Filed under Information & TK. You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0. You can leave a response or trackback to this entry

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