Samsung startet Massenproduktion des industrieweit ersten 10-Nanometer-Class-DRAM

von am    Bilder, Information & TK  

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei fortschrittlicher Speichertechnologie, kündigte heute den Start der Massenproduktion der industrieweit ersten 10-nanometer (nm) Class* DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM-Chips mit 8-gigabit (Gb) und daraus abgeleiteten Modulen an. DDR4 DRAM entwickelt sich weltweit schnell zu dem am häufigsten produzierten Memory für PCs und IT-Netzwerke und Samsungs neueste Fortschritte werden helfen, den branchenweiten […]

Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs – basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)

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SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für Enterprise Server. Samsungs neue HBM-Lösung ist über sieben Mal […]

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