Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs – basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)

von am    Bilder, Information & TK  

SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für Enterprise Server. Samsungs neue HBM-Lösung ist über sieben Mal […]

Samsung startet Massenproduktion von Chips in 14nm-FinFET-Logikprozesstechnologie der zweiten Generation

von am    Information & TK  

SEOUL, Korea, 14. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter von innovativer Halbleitertechnologie, hat mit der Massenproduktion weiterentwickelter Logikchips in seinem LPP-Prozess (Low-Power Plus) mit Strukturen von 14nm begonnen. Der LPP-Prozess ist die zweite Generation der 14nm FinFET-Prozesstechnologie des Unternehmens. Führend in der Massenfertigung von Produkten im fortschrittlichen FinFET-Logikprozess kündigte Samsung […]